[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器形成技术

摘要

本发明公开了用于提供具有总体上波纹形的轮廓的MIM电容器的技术和结构。使用响应于处理(加热或其它适当刺激)而有效地创建图案的牺牲自组织材料来提供波纹形形貌，所述图案被转移到其中形成所述MIM电容器的电介质材料。所述自组织材料可以是例如一层定向自组装材料，其响应于加热或其它刺激而离析成两个交替的相，其中，然后可以相对于所述相的其中之一而有选择地蚀刻掉另一个相，以提供期望的图案。在另一种示例性情况下，所述自组织材料是在被加热时凝聚成隔离的岛的一层材料。如根据本公开内容将领会的，例如，可以使用所公开的技术来增大每单位面积的电容，可以通过蚀刻较深的电容器沟槽/洞来缩放面积。

主权项

1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：沉积第一电介质层，在所述第一电介质层中没有设置金属互连；在所述第一电介质层之上沉积硬掩模层；在所述硬掩模层之上沉积自组织材料的牺牲掩模层；使所述牺牲掩模层图案化，其中，所述图案化包括非减法工艺，其使所述牺牲掩模层自组织成不同的结构；使用经图案化的牺牲掩模层来使所述第一电介质层图案化；以及在经图案化的第一电介质层之上沉积金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。