[发明专利]太阳能电池组件的制造方法有效
申请号: | 201480003963.5 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104981912B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 李洪宰 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:结晶硅晶片;一个以上非晶硅薄膜,其至少在所述结晶硅晶片的上部和下部之一设置;透明导电膜层,其设置于所述非晶硅薄膜的表面;电极,其设置于所述透明导电膜层的表面;及,分隔部,其将所述透明导电膜层分隔成与所述电极电连接的导电区域,以及与所述电极电气隔离的非导电区域。根据本发明的太阳能电池组件,其将表面设置的增透膜分隔为厚度相同的导电区域和厚度不同的非导电区域,而将所述导电区域与电极电连接,进而防止开路电压和填充因子的减少。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池组件的制造方法,其特征在于包括如下步骤:在结晶硅晶片的上部及下部中的至少一者上蒸镀非晶硅薄膜的步骤;于所述非晶硅薄膜的表面蒸镀透明导电膜层的步骤,所述透明导电膜层包含导电区域及非导电区域,所述导电区域固定地保持其厚度,所述非导电区域沿所述导电区域的边缘不固定地保持其厚度,所述非导电区域的厚度相对厚于或薄于所述导电区域;于所述透明导电膜层的所述导电区域的表面蒸镀电极的步骤;以及为了划分所述导电区域以及所述非导电区域,沿所述导电区域与所述非导电区域的边界形成沟槽的步骤,其中在形成所述沟槽的步骤中,所述沟槽的深度形成为所述透明导电膜层的厚度以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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