[发明专利]用于制备多孔硅微粒的电化学和化学蚀刻的组合方法

摘要

本发明的实施方式涉及通过下述制备多孔硅微粒的方法：(a)电化学蚀刻硅基材,其中电化学蚀刻包括将硅基材暴露于电流密度,和其中电化学蚀刻在硅基材上制备多孔硅膜；(b)从硅基材分离多孔硅膜,其中该分离包括以连续增量逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b)；(d)根据步骤(a)电化学蚀刻硅基材以在硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻多孔硅膜和硅基材；和(f)裂解多孔硅膜和硅基材以形成多孔硅微粒。本发明的其它实施方式涉及形成的多孔硅微粒和包含它们的阳极材料。

主权项

一种制备多孔硅微粒的方法,其中所述方法包括:(a)电化学蚀刻硅基材,其中所述电化学蚀刻包括将所述硅基材暴露于电流密度，和其中所述电化学蚀刻在所述硅基材上制备多孔硅膜；(b)从所述硅基材分离所述多孔硅膜，其中所述分离包括以连续增量的方式逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b)；(d)根据步骤(a)电化学蚀刻所述硅基材以在该硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻所述多孔硅膜和所述硅基材；和(f)裂解所述多孔硅膜和所述硅基材以形成多孔硅微粒。