[发明专利]倍频器有效
| 申请号： | 201480004238.X | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104904115B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | S·桑卡兰;V·B·伦塔拉;B·P·金斯堡;S·M·若马斯万迈;E·赛奥克;B·赫龙;B·A·克雷默;F·塞涅雷特 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B19/10 | 分类号： | H03B19/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo‑)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 倍频器 | ||
【主权项】：
一种信号处理装置，其包括：第一供电轨；第二供电轨；第一MOS晶体管，其被耦合到公共节点和所述第一供电轨之间，其中所述第一MOS晶体管经配置用于在其栅极接收第一差分信号的第一部分，而且其中所述第一差分信号具有第一频率；第二MOS晶体管，其被耦合到所述公共节点和所述第二供电轨之间，其中所述第二MOS晶体管经配置用于在其栅极接收所述第一差分信号的第二部分；变压器，其具有：具有第一终端、第二终端和中心抽头的初级侧，其中所述变压器的所述初级侧的所述第一终端被耦合到所述公共节点，而且其中所述变压器的所述初级侧的所述中心抽头经配置用于接收共模电压；以及具有第一终端、第二终端和中心抽头的次级侧，其中所述变压器的所述次级侧的所述第一终端经配置用于输出第二差分信号的第一部分，而且其中所述变压器的所述次级侧的所述中心抽头经配置用于接收共模电压，而且其中所述变压器的所述次级侧的所述第二终端经配置用于输出所述第二差分信号的第二部分，其中所述第二差分信号具有第二频率，而且其中所述第二频率大于所述第一频率；第三MOS晶体管，其被耦合到所述变压器的所述初级侧的所述第二终端和所述第二供电轨之间且在其栅极被耦合到所述公共节点，其中所述第三MOS晶体管是第一导电型晶体管；第四MOS晶体管，其被耦合到所述变压器的所述初级侧的所述第二终端和所述第一供电轨之间且在其栅极被耦合到所述公共节点，并且其中所述第四MOS晶体管是第二导电型晶体管。
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