[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 201480004282.0 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105103299B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 智光焕;金大焕;裵俊贤 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：基板；形成在所述基板上的第一栅极电极；形成在所述基板上并包括第一氧化物半导体层和第一势垒层的第一有源层；形成在所述第一有源层上并包括第二氧化物半导体层和中间势垒层的第二有源层；形成在所述第二有源层上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上并与所述第一栅极电极电连接的第二栅极电极；形成在所述第二栅极电极、所述第一有源层和所述第二有源层上的层间绝缘膜；以及与所述第一有源层和所述第二有源层电连接的源极电极和漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 栅极电极 薄膜晶体管 基板 氧化物半导体层 栅极绝缘层 电连接 层间绝缘膜 中间势垒层 漏极电极 显示装置 源极电极 势垒层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：第一栅极电极；设置于所述第一栅极电极上的第一栅极绝缘层；设置于所述第一栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，其中所述第二氧化物半导体层的宽度比所述第一氧化物半导体层的宽度窄，以增强所述薄膜晶体管的电流流动；用于分离所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层的中间势垒层；设置于所述第二氧化物半导体层上的第二栅极绝缘层；设置于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极电极，所述第二栅极电极与所述第一栅极电极电连接；与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层电连接的源极电极；和与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层电连接的漏极电极，其中在所述薄膜晶体管是N型薄膜晶体管时，所述中间势垒层具有比所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层的最大价带值(Vmax)低的最大价带值(Vmax)，且其中在所述薄膜晶体管是P型薄膜晶体管时，所述中间势垒层具有比所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层高的最大导带值(Cmax)。
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