[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201480004398.4 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104919604B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 渡边昌规;驹田聪;井上知也;川畑昴佑 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层、发光层和p型氮化物半导体层，所述第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为所述第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，所述n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为所述第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上，所述n型电子注入层的带隙大于所述第二n型氮化物半导体层的带隙，所述n型电子注入层含有Al。
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