[发明专利]集成到半导体电路上的电容性传感器及其制造方法

摘要

本发明公开一种位于半导体电路(例如ASIC)的保护层上的电容性传感器、以及一种制造此传感器的方法。所述系统及方法可包括：在保护层的位于ASIC的有源电路上方的部分上形成底部电极层及搭接盘(520)；在底部电极层及搭接盘上形成气体敏感层(530)；形成穿过气体敏感层以暴露搭接盘的一部分的通路(540)；在气体敏感层上形成顶部电极层(550)，其中顶部电极层完全覆盖底部电极层的表面区域，且其中形成顶部电极层的工艺在通路孔中沉积顶部电极层的一部分，从而在顶部电极层与搭接盘之间形成电连接。

主权项

1.一种在半导体电路的保护层上制造电容性传感器的方法，所述保护层具有暴露出第一焊盘及第二焊盘的开口，其特征在于，所述方法包括：在所述保护层上形成金属层并将所述金属层图案化，以形成底部电极及搭接盘、以及用于将所述底部电极及所述搭接盘连接至其各自的焊盘的金属迹线，所述底部电极被定位成使所述底部电极位于所述半导体电路的具有有源电路的部分上方；在所述底部电极与所述搭接盘上形成气体敏感层；形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路；在所述气体敏感层上形成多孔顶部电极，所述多孔顶部电极经由通路电连接至所述搭接盘，其中多孔顶部电极的一部分完全覆盖所述底部电极的表面区域且所述多孔顶部电极的另一部分接触所述搭接盘。