[发明专利]多孔性硅类负极活性物质及其制备方法、以及包含它的锂二次电池有效
| 申请号： | 201480005288.X | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105103346B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李美林;柳正宇;金银卿;李龙珠;李汉浩;尹智铉;方柄漫;李昶来;郑镒教;李美庆 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学;（株）世进新素材 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/587;H01M4/583;H01M4/13 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供以包含表面涂敷有氧化膜层的多孔性SiOx粒子(0≤x＜2)为特征的多孔性硅类负极活性物质及其制备方法、包含它的锂二次电池。上述负极活性物质，通过包含形成于多孔性SiOx粒子(0≤x＜2)上的氧化膜层，可减少负极活性物质与电解液的反应性，由此可将电极内的电的短路最小化。并且，通过在上述SiOx粒子的表面或表面及内部包含多个气孔，从而减少二次电池在充放电时产生的电极的厚度变化率，提高二次电池的寿命特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 性硅类 负极 活性 物质 及其 制备 方法 以及 包含 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种负极活性物质，其特征在于，包含多孔性SiOx粒子；所述多孔性SiOx粒子的表面涂敷有氧化膜层，所述氧化膜层包含SiOy，其中所述x及y的范围为0≤x＜1且1＜y≤2，所述氧化膜层的厚度大于20nm且200nm以下，且所述多孔性SiOx粒子的比表面积为5m2/g至50m2/g。
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