[发明专利]用于改善磁阻式隧道结(MTJ)器件铁磁层中的外围边缘损伤的方法和装置有效
| 申请号： | 201480005496.X | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105308684B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | X·朱;X·李;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在外围形成有化学损伤区域的具有进程内面积尺寸(DR1)的进程内铁磁层(460，462)。该化学损伤区域的至少一部分被变换为非铁磁性的化学改性外围部分(4604，4624)。可任选地，该变换是通过氧化、氮化、或氟化、或其任何组合进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 磁阻 隧道 mtj 器件 铁磁层 中的 外围 边缘 损伤 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成磁性隧道结层的方法，包括：形成进程内铁磁结构，所述进程内铁磁结构包括基板、在所述基板上方的钉扎铁磁层、在所述钉扎铁磁层上方的隧道阻挡层和在所述隧道阻挡层上方的铁磁自由层，所述铁磁自由层具有被第一化学损伤外围区域包围的第一铁磁主区域，其中所述化学损伤外围区域是弱铁磁性的；将所述第一化学损伤外围区域的至少一部分变换为第一化学改性外围部分，其中所述第一化学改性外围部分是非铁磁性的；在所述第一化学改性外围部分外形成第一保护层，所述第一保护层包围所述铁磁自由层而不包围所述钉扎铁磁层；执行蚀刻，所述蚀刻在所述钉扎铁磁层中形成包括第二铁磁主区域的第二化学损伤外围区域，所述铁磁自由层的面积小于所述钉扎铁磁层的面积；将所述第二化学损伤外围区域的至少一部分变换为第二化学改性外围部分，其中所述第二化学改性外围部分是非铁磁性的；以及在所述第二化学改性外围部分、所述隧道阻挡层和所述第一保护层外形成第二保护层。
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