[发明专利]固态成像器件及其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201480005896.0 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN105308746B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 纳土晋一郎;大塚洋一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/357;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态成像器件及其制造方法以及电子设备,所述固态成像器件被构造为能够使成像像素的倾斜入射光特性和相位差检测像素的AF特性都变得优异。所述固态成像器件包括:以矩阵的方式二维地布置的多个成像像素;和分散在所述成像像素之间的相位差检测像素。所述固态成像器件还包括:第一微透镜,所述第一微透镜以分别对应于所述成像像素的方式而形成;平坦化膜,所述平坦化膜形成在所述第一微透镜上且折射率比第一微透镜的折射率更低;和第二微透镜,所述第二微透镜仅在位于所述相位差检测像素上方的位置处形成在平坦化膜上。本发明例如能够应用于CMOS固态成像器件。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种含有相位差检测像素和多个成像像素的固态成像器件,所述成像像素以矩阵构造二维地布置,所述相位差检测像素分散地布置在所述成像像素之间,所述固态成像器件包括:光电二极管,所述光电二极管对应于各所述成像像素和各所述相位差检测像素而形成;第一微透镜,所述第一微透镜对应于各所述成像像素而形成在所述光电二极管上方,其中,在所述光电二极管和所述第一微透镜之间形成有分离部,所述分离部遮住所述相位差检测像素中所述光电二极管的一部分,并用于分离来自所述相位差检测像素中的出射光瞳的光;平坦化膜,所述平坦化膜的折射率比所述第一微透镜的折射率更低并且所述平坦化膜形成在所述第一微透镜上;和第二微透镜,所述第二微透镜仅形成在所述相位差检测像素的所述平坦化膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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