[发明专利]磁记录膜用溅射靶及用于制造该溅射靶的碳原料有效
| 申请号： | 201480006305.1 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104955981B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其为包含合金和分散在该合金中的非磁性材料的烧结体溅射靶，所述合金的组成包含5～60摩尔％的Pt、余量为Fe，其特征在于，至少含有5～60摩尔％的C作为非磁性材料，与靶的溅射面垂直的截面中的C粒子的平均粒子面积为50μm2以上。本发明的课题在于提供能够在不使用高价的共溅射装置的情况下制作热辅助磁记录介质的磁性薄膜且减少了溅射时产生的粉粒量的溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 溅射 用于 制造 原料 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其为包含合金和分散在该合金中的非磁性材料的烧结体溅射靶，所述合金的组成包含5～60摩尔％的Pt、余量为Fe，其特征在于，至少含有5～60摩尔％的C作为非磁性材料，与靶的溅射面垂直的截面中的C粒子的平均粒子面积为50μm2以上且200μm2以下，与靶的溅射面垂直的截面中的碳粒子的周长的平均值为35μm以上且100μm以下。
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