[发明专利]光电器件及其生产方法有效
申请号: | 201480006419.6 | 申请日: | 2014-01-30 |
公开(公告)号: | CN104969361B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 亚历山大·约翰·托平 | 申请(专利权)人: | 比格太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 白云;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光电器件包括具有第一系列凹槽和第二系列凹槽及二者之间的沟道的衬底。第一系列凹槽和第二系列凹槽中的每个凹槽具有第一和第二表面及第一和第二表面之间的腔。腔至少部分地填充有第一半导体材料。第一表面涂覆有导体材料而第二表面涂覆有第二半导体材料。沟道横断第一系列凹槽和第二系列凹槽中的凹槽。还公开了生产光电器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 光电 器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种光电器件(301),包括:衬底(305),其包括第一系列凹槽(304a)和第二系列凹槽(304b)及二者之间的沟道(302);所述第一系列凹槽(304a)和所述第二系列凹槽(304b)中的每个凹槽具有第一表面(312a)和第二表面(312b)及所述第一表面和所述第二表面之间的腔(314);所述腔(314)至少部分地填充有第一半导体材料(316);所述第一表面(312a)涂覆有导体材料(318)而所述第二表面(312b)涂覆有第二半导体材料(317);其特征在于,所述第一系列凹槽(304a)和第二系列凹槽(304b)的一部分与所述第一系列凹槽(304a)和第二系列凹槽(304b)之间的所述沟道(302)的一部分实质上彼此平行,且其中,所述沟道(302)还横断所述第一系列凹槽(304a)和所述第二系列凹槽(304b)中的凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比格太阳能有限公司,未经比格太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480006419.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于电化学电池的分隔体介质
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的