[发明专利]ESD自我保护及含该保护的LIN总线驱动器的DMOS半导体装置有效
| 申请号： | 201480006578.6 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104969355B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·德沃尔;马丽亚·费尔南德斯;帕特里克·贝萨厄泽;罗恩·布雷思韦特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种双扩散金属氧化物半导体DMOS双重结构，其被配置为具有静电放电ESD保护的开路漏极输出驱动器，而无需用于所述ESD保护及反向电压阻塞二极管保护的金属连接。一对源极单元(102b、104b、106b)中的一者用作开路漏极输出单元，形成例如反向阻塞二极管(234)且实现接通状态中的双极性操作、用于ESD自我保护的内置结构，例如内置SCR。与所述反向阻塞二极管相邻的栅电极(110b)连接到开路漏极输出端子(232)。 | ||
| 搜索关键词： | esd 自我 保护 lin 总线 驱动器 dmos 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路装置的保护电路，其包括：单元，其包括两个源极区域及关联栅极，其中第一源极区域连接到电源电压端子且其栅极是由控制信号驱动，且其中第二源极区域与其栅极连接，其中所述第二源极区域与漏极端子连接以充当所述单元的漏极输出；及第一导电类型的阱；其中所述第一源极包括在所述阱中扩散的第二导电类型的第一主体，其中所述第一主体包括第一P+扩散部及第一N+扩散部；其中所述第二源极包括在所述阱中扩散的第二导电类型的第二主体，其中所述第二主体包括所述第一导电类型的第二扩散部；其中所述栅极布置于各自所述主体的部分和所述阱的部分上方的各自绝缘氧化物上；及其中所述第二扩散部提供到输出驱动器单元的连接；其中静电放电及反向电压保护二极管形成于所述第一主体与第二主体之间。
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