[发明专利]用于在集成电路中构造隔离电容器的方法及设备在审
| 申请号： | 201480006942.9 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104969317A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·迪克斯;兰迪·叶奇 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01G4/40 | 分类号： | H01G4/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在初级集成电路裸片的一面上形成至少一个高电压额定隔离电容器。所述隔离电容器将在第一电压域中的初级集成电路AC耦合到在第二电压域中的第二集成电路。所述隔离电容器将所述初级集成电路与第二集成电路裸片DC隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 构造 隔离 电容器 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于形成高电压额定隔离电容器的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体集成电路；在所述半导体集成电路的一面的至少一部分上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积第一导电层；在所述第一导电层上沉积高电压额定电介质层；在所述高电压额定电介质层上沉积第二导电层；及将所述高电压额定电介质层及所述第二导电层图案化以覆盖所述第一导电层的区域以形成所述高电压额定隔离电容器，其中所述第一导电层的至少一个经暴露部分提供到其的至少一个第一电连接。
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