[发明专利]阻挡层形成用组合物、带有阻挡层的半导体基板、太阳能电池用基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法在审
申请号: | 201480006954.1 | 申请日: | 2014-02-12 |
公开(公告)号: | CN104969364A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种阻挡层形成用组合物,其含有:选自通式1:(R1)4-nSi(OR2)n所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物;有机粘合剂;和分散介质,所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s~100Pa·s。式中,R1及R2各自独立地表示碳数1~6的脂肪族烃基或芳香族烃基,n表示1~4中任一个整数。在包含2个以上R1或R2的情况下,各R1或各R2可以相同也可以不同。 | ||
搜索关键词: | 阻挡 形成 组合 带有 半导体 太阳能电池 用基板 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】:
一种阻挡层形成用组合物,其含有:选自下述通式1所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物;有机粘合剂;和分散介质,所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s~100Pa·s,(R1)4‑nSi(OR2)n···通式1通式1中,R1及R2各自独立地表示碳数1~6的脂肪族烃基或芳香族烃基,n表示1~4中任一个整数,在包含2个以上R1或R2的情况下,各R1或各R2可以相同也可以不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社,未经日立化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480006954.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:半导体装置的制造方法以及制造装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的