[发明专利]阻挡层形成用组合物、带有阻挡层的半导体基板、太阳能电池用基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201480006954.1 申请日: 2014-02-12
公开(公告)号: CN104969364A 公开(公告)日: 2015-10-07
发明(设计)人: 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 葛凡
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种阻挡层形成用组合物,其含有:选自通式1:(R1)4-nSi(OR2)n所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物;有机粘合剂;和分散介质,所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s~100Pa·s。式中,R1及R2各自独立地表示碳数1~6的脂肪族烃基或芳香族烃基,n表示1~4中任一个整数。在包含2个以上R1或R2的情况下,各R1或各R2可以相同也可以不同。
搜索关键词: 阻挡 形成 组合 带有 半导体 太阳能电池 用基板 制造 方法 以及 元件
【主权项】:
一种阻挡层形成用组合物,其含有:选自下述通式1所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物;有机粘合剂;和分散介质,所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s~100Pa·s,(R1)4‑nSi(OR2)n···通式1通式1中,R1及R2各自独立地表示碳数1~6的脂肪族烃基或芳香族烃基,n表示1~4中任一个整数,在包含2个以上R1或R2的情况下,各R1或各R2可以相同也可以不同。
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