[发明专利]太阳能电池单元的制造方法有效
| 申请号： | 201480007666.8 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104981893B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 荻野贵之;言水志信;加藤太司;田坂庄吾;青野亮太;奥凉介;鹿野康行;合田晋二;石川直挥 | 申请（专利权）人： | 松下生产工程技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 卢曼,刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供使硅基板上形成的硼化硅层充分氧化而除去，同时可得到优质的硼硅玻璃层的硼扩散层形成方法。本发明是利用硼扩散工序，在硅基板上形成硼扩散层的硼扩散层形成方法，所述硼扩散工序包括使硼在硅基板上热扩散的第1步骤、和使第1步骤中在硅基板上形成的硼化硅层氧化的第2步骤，在第2步骤中，具有15分钟以上的处于900℃以上且第1步骤的处理温度以下的温度的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 形成 方法 以及 太阳能电池 单元 制造 | ||
【主权项】：
太阳能电池单元的制造方法，其是具有硼扩散工序的太阳能电池单元的制造方法，所述硼扩散工序包括：使硼在硅基板上热扩散的第1步骤、和使上述第1步骤中在硅基板上形成的硼化硅层氧化的第2步骤，其中，上述第2步骤中，具有15分钟以上的处于900℃以上且上述第1步骤的处理温度以下的温度的状态，该第2步骤具有降温工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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