[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要

一种碳化硅衬底(10)，其具有被设置为与第一主表面(10a)相接触的栅绝缘膜(20)，具有被设置为与栅绝缘膜(20)相接触的栅电极(30)，且具有从第一主表面(10a)暴露出的源区(15)。利用掩模层(45)，通过针对层间绝缘膜(40)执行第一各向同性蚀刻，具有第一内壁表面(46a)的第一凹进部(46)被形成在层间绝缘膜(40)中。利用掩模层(45)，通过针对层间绝缘膜(40)和栅绝缘膜(20)执行第一各向异性蚀刻且由此从栅绝缘膜(20)暴露源区(15)而形成具有第二内壁表面(47a)的第二凹进部(47)。形成被布置为与第一内壁表面(46a)和第二内壁表面(47a)相接触并且被电连接至源电极(50)的互连(60)。因此，可提供能提高互连可靠性的碳化硅半导体器件以及制造该碳化硅半导体器件的方法。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：准备碳化硅衬底，所述碳化硅衬底：具有彼此相反的第一主表面和第二主表面，具有被设置为与所述第一主表面相接触的栅绝缘膜，具有被设置为与所述栅绝缘膜相接触的栅电极，并且包括与所述第一主表面相接触的第一导电类型区；形成与所述栅电极和所述栅绝缘膜相接触的层间绝缘膜；形成与所述层间绝缘膜相接触的掩模层；通过使用所述掩模层针对所述层间绝缘膜执行第一各向同性蚀刻来形成第一凹进部，所述第一凹进部具有在所述层间绝缘膜中形成的第一内壁表面；在形成第一凹进部的所述步骤之后，通过使用所述掩模层针对所述层间绝缘膜和所述栅绝缘膜执行第一各向异性蚀刻、并且从而从所述栅绝缘膜暴露所述碳化硅衬底的所述第一导电类型区，来形成具有第二内壁表面的第二凹进部；形成与所述第一导电类型区相接触的第一电极；以及形成被布置为与所述第一内壁表面和所述第二内壁表面相接触并且被电连接至所述第一电极的互连。