[发明专利]化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法有效
| 申请号： | 201480007952.4 | 申请日： | 2014-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104981463B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 越后雅敏;牧野岛高史;内山直哉 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C07D311/86 | 分类号： | C07D311/86;G03F7/11;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的烯基或羟基，在此，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～4的整数，n是1～4的整数，p是0或1。) | ||
| 搜索关键词： | 化合物 光刻 下层 形成 材料 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻用下层膜，其形成材料含有下述通式(1)所示的化合物，式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的烯基或羟基，在此，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～4的整数，n是1～4的整数，p是0或1。
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