[发明专利]形成与器件衬底耦合的埋藏的微电机结构的方法以及由此形成的结构有效
| 申请号： | 201480008678.2 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104995130B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | R·巴斯卡兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L23/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 器件 衬底 耦合 埋藏 微电机 结构 方法 以及 由此 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：包括至少一个MEMS结构的第一衬底，其中所述第一衬底包括上部部分和下部部分；直接设置于所述第一衬底的所述上部部分上的第一接合层；设置于所述第一衬底的所述上部部分与所述第一衬底的所述下部部分之间的至少一个支柱结构，其中所述至少一个支柱结构与所述第一衬底的所述上部部分包括对于所述至少一个MEMS结构的密闭性密封；以及设置于第二衬底的表面上的第二接合层，其中，所述第二接合层设置于所述第二衬底的器件层上，并且其中，所述第一接合层被直接结合到所述第二接合层。
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