[发明专利]半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201480008713.0 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104995805B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 衣川耕平;谷口英广;田岛正文 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第1杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第1杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 激光 及其 制造 方法 模块 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体光元件，包括具有光波导层的半导体层叠部，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第1杂质、和具有促进原子空孔扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同且在层叠方向上延伸的2个以上的区域，所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第1杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。
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