[发明专利]发光二极管芯片以及发光二极管封装有效
| 申请号： | 201480008779.X | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104995753B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 徐德壹;金京完;尹馀镇;禹尙沅;金信亨 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/62;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片以及发光二极管封装。此发光二极管芯片包括：基板；配置在基板上的发光二极管部分；以及配置在基板上且反向并联连接到发光二极管部分的反向并联二极管部分。在发光二极管芯片中，发光二极管部分将连同反向并联二极管部分一起配置。发光二极管芯片对静电放电表现出高抵抗力，且不需要单独的静电放电(ESD)保护装置。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 放电 led 芯片 以及 包含 封装 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括：基板；发光二极管部分，配置在所述基板上；反向并联二极管部分，配置在所述基板上且以反向并联方式连接到所述发光二极管部分，其中所述发光二极管部分和所述反向并联二极管部分的每一个包括：第一导电型氮化物半导体层；第二导电型氮化物半导体层；以及主动层，配置在所述第一导电型氮化物半导体层与所述第二导电型氮化物半导体层之间；第一电极垫，配置在所述反向并联二极管部分上；第二电极垫，配置于所述发光二极管部分上；第一延伸，从所述第一电极垫延伸，且在多个点电性连接到所述发光二极管部分的所述第一导电型氮化物半导体层；以及第二延伸，从所述第二电极垫延伸，且电性连接到所述反向并联二极管部分的所述第一导电型氮化物半导体层，其中所述反向并联二极管部分的高度比所述发光二极管部分的高度低。
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