[发明专利]通过切换电流感应出的磁场来得以增强的STT‑MRAM设计有效
| 申请号： | 201480009178.0 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105074946B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | W·H·夏;W·吴;K·H·袁;A·巴纳基;X·李;S·H·康;J·P·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 蔡悦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器单元(200)包括耦合于磁性隧道结(MTJ)结构(210)的延长的第一电极(206)和耦合于该MTJ结构的与该延长的第一电极对齐的延长的第二电极(212)。这些延长的电极被配置成将切换电流感应出的磁场的互为加性的部分定向成穿过所述MTJ。所述互为加性的部分增强该MTJ响应于该切换电流的施加所作的切换。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 切换 电流 感应 磁场 得以 增强 stt mram 设计 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：多个磁性隧道结(MTJ)层，所述多个MTJ层包括固定层、自由层和位于所述固定层与所述自由层之间的壁垒层；耦合到所述多个MTJ层中的第一MTJ层的第一电极，所述第一电极包括从所述多个MTJ层横向延伸出的第一延长部分；直接耦合到所述第一电极的所述第一延长部分的第一触点或通孔，所述第一延长部分和所述多个MTJ层之间的横向移位被配置成将由MTJ切换电流所感应出的磁场的第一部分定向成从所述第一触点或通孔穿过所述多个MTJ层；耦合于所述多个MTJ层中的第二MTJ层的第二电极，所述第二电极包括从所述多个MTJ层横向延伸出的第二延长部分；耦合到所述第二电极的所述第二延长部分的第二触点或通孔，所述第二触点或通孔的图案与所述第一触点或通孔在垂直于所述第二延长部分和所述多个MTJ层之间的横向移位的方向上直接对齐，所述横向位移被配置成将由所述MTJ切换电流所感应出的磁场的第二部分定向成穿过所述多个MTJ层和所述第二触点或通孔，所述磁场的所述第二部分与所述磁场的所述第一部分相加以增强穿过所述多个MTJ层的磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480009178.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池模块
- 下一篇：图像拾取元件和图像拾取装置
