[发明专利]在异质基底上的第III族氮化物缓冲层结构的p型掺杂有效
| 申请号： | 201480009187.X | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN105229207B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | S·吕特根;S·穆拉德;A·基特尼斯 | 申请（专利权）人： | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×10 |
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| 搜索关键词： | 基底 iii 氮化物 缓冲 结构 掺杂 | ||
【主权项】：
在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构，其中所述缓冲层结构包括至少一个应力管理层序列，所述应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层之间及与第一和第二第III族氮化物层相邻的间层结构，其中所述间层结构包含具有比所述第一和第二第III族氮化物层的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，及其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由所述间层结构至所述第一和第二第III族氮化物层的过渡中降低至少2倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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