[发明专利]碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201480009593.6 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105074059B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 近藤宏行;恩田正一;木藤泰男;渡边弘纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 刘凤岭,陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶，其是包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶；其中，在所述螺旋位错中，将柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)，所述L位错密度为300个/cm2以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480009593.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直进式拉丝机模块装置
- 下一篇：易拆卸喷嘴式集管
