[发明专利]检测器、PET装置和X射线CT装置有效
申请号: | 201480009663.8 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN105009289B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 藤井义磨郎;永野辉昌;山村和久;里健一;土屋龙太郎 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01T1/161;G01T1/20;H01L31/107 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄贤炬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的检测器的各个半导体芯片具备:半导体基板,其具有多个光检测部;绝缘层,其形成在半导体基板的表面上;共用电极,其配置在绝缘层上;读出配线,其将各个光检测部的降压电阻与共用电极电连接;以及贯通电极,其从共用电极经由半导体基板的贯通孔而延伸至半导体基板的背面。 | ||
搜索关键词: | 半导体基板 共用电极 绝缘层 检测器 光检测部 半导体芯片 读出配线 贯通电极 降压电阻 电连接 贯通孔 背面 延伸 配置 | ||
【主权项】:
1.一种检测器,其特征在于:是具备配线基板、二维状相互隔开地配置在所述配线基板上的多个半导体芯片、以及配置在各个所述半导体芯片与所述配线基板之间的第1和第2凸块电极的检测器,各个所述半导体芯片具备:半导体基板,其具有二维状配置的多个光检测部;绝缘层,其形成在所述半导体基板的表面上;共用电极,其配置在所述绝缘层上;读出配线,其将各个所述光检测部的降压电阻与所述共用电极电连接;以及贯通电极,其从所述共用电极经由所述半导体基板的贯通孔而延伸至所述半导体基板的背面,各个所述光检测部具备:雪崩光电二极管,其具备第1导电型的第1半导体区域、以及与所述第1半导体区域构成pn结,并输出载流子的第2导电型的第2半导体区域;以及所述降压电阻,其与所述雪崩光电二极管的所述第2半导体区域电连接,所述第1凸块电极将所述贯通电极与所述配线基板电连接;所述第2凸块电极将所述雪崩光电二极管的所述第1半导体区域与所述配线基板电连接,具备多个绝缘体,在各个所述半导体芯片上,粘接有各个所述绝缘体,所述共用电极设置于由所述光检测部包围的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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