[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201480009879.4 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN105074897A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 山田里美;筑野孝 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面(80b)以及与第一主表面(80b)相反的第二主表面(80a)的碳化硅衬底(80)；蚀刻第一主表面(80b)而使包括微管道的蚀刻坑(3a)出现在第一主表面(80b)上；获得关于第一主表面(80b)上的微管道的二维位置信息；碳化硅衬底切割成多个芯片(C12-C65)。基于二维位置信息选择芯片(C12-C65)。第一主表面(80b)是硅面或者从硅面偏离小于或等于10°的角的面。由此，可提供一种可以高精度筛选出包括微管道的芯片的制造碳化硅半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面的碳化硅衬底；通过蚀刻所述第一主表面来使蚀刻坑出现在所述第一主表面中，其中所述蚀刻坑包括微管道的蚀刻坑；获得关于在所述第一主表面中的所述微管道的二维位置信息；将所述碳化硅衬底切割成多个芯片；以及基于所述二维位置信息来执行对所述芯片的筛选，其中，所述第一主表面是硅面或相对于所述硅面具有小于或等于10°的偏离角的面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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