[发明专利]3D存储器中的子块解码

摘要

一些实施例涉及与存储器单元的块相关联的设备及方法。存储器单元的所述块可包含存储器单元的两个或两个以上子块。子块可包括垂直存储器单元串，所述垂直串包含源极选择晶体管及漏极选择晶体管。一种设备可包含两个或两个以上漏极选择线，其中第一漏极选择线耦合到第一块的第一子块中的漏极选择晶体管及第二块的第一子块中的漏极选择晶体管。所述设备中的第二漏极选择线可耦合到所述第一块的第二子块中的漏极选择晶体管及所述第二块的第二子块中的漏极选择晶体管。描述其它设备及方法。

主权项

一种设备，其包括：存储器单元的多个块，其包含第一块及第二块，其中块包含两个或两个以上子块，所述两个或两个以上子块包含第一子块及第二子块，子块包含垂直存储器单元串，所述垂直串包含相应多个存储器单元、相应源极选择晶体管及相应漏极选择晶体管；两个或两个以上漏极选择线，其包含第一漏极选择线及第二漏极选择线，所述第一漏极选择线耦合到所述第一块的所述第一子块中的所述漏极选择晶体管且所述第一漏极选择线耦合到所述第二块的所述第一子块中的所述漏极选择晶体管，且所述第二漏极选择线耦合到所述第一块的所述第二子块中的所述漏极选择晶体管且所述第二漏极选择线耦合到所述第二块的所述第二子块中的所述漏极选择晶体管；以及多个晶体管，其包括选择晶体管及取消选择晶体管，其中第一选择晶体管及第一取消选择晶体管耦合到所述第一漏极选择线，且第二选择晶体管及第二取消选择晶体管耦合到所述第二漏极选择线，其中所述第一选择晶体管经配置以在第一时间处将选择偏置耦合到所述第一漏极选择线，所述第二选择晶体管经配置以在不同于所述第一时间的第二时间处将所述选择偏置耦合到所述第二漏极选择线，所述第一取消选择晶体管经配置以在所述第二时间处将取消选择偏置耦合到所述第一漏极选择线，且所述第二取消选择晶体管经配置以在所述第一时间处将所述取消选择偏置耦合到所述第二漏极选择线。