[发明专利]微细抗蚀图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法有效
| 申请号： | 201480010383.9 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105103053B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 长原达郎;关藤高志;山本和磨;小林政一;佐竹升;石井雅弘 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11216 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 卢森堡(L-1*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
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| 摘要： | 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 图案 形成 组合 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种正型抗蚀图案的形成方法，其特征在于包含如下的工序：/n在半导体基板上涂布化学放大型光致抗蚀组合物而形成光致抗蚀层的工序，/n对由所述光致抗蚀层覆盖了的所述半导体基板进行曝光的工序，/n在所述曝光后由显影液进行显影而形成光致抗蚀图案的工序，/n在所述光致抗蚀图案的表面上，涂布包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸的微细图案形成用组合物的工序，/n将涂布完的光致抗蚀图案加热的工序，以及/n将过量的微细图案形成用组合物洗涤而去除的工序，/n其中，所述聚合物从由聚乙烯胺、聚烯丙胺、聚二烯丙基胺、聚乙烯亚胺以及聚(烯丙基胺-共-二烯丙基胺)组成的组中选出，/n其中，所述酸从由磺酸、羧酸、硫酸、硝酸以及它们的混合物组成的组中选出，并且/n以所述聚合物的总重量为基准，所述酸的量为0.5～50重量％。/n
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