[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480010591.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105009295B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 齐藤隆;荻野正明;望月英司;高桥良和 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 金玉兰,韩明星 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在将n‑外延层(2)堆积在SiC基板(1)的正面上而成的外延基板的正面侧设置有由p基区(3)、p外延层(4)、n++源区(5)、p+接触区(6)、n反转区(7)、栅绝缘膜(8)以及栅极(9)构成的MOS栅结构和正面电极(13)。在正面电极(13)的表面上，在正面电极(13)的表面的10％以上的区域、优选在60％以上且90％以下的区域设置有第一金属膜(21)。这样的SiC‑MOSFET通过在形成背面电极(15)后，在正面电极(13)的表面形成第一金属膜(21)，进行N2气氛下的退火而制成。通过上述工序，在使用了SiC半导体的半导体装置中，能够抑制栅阈值电压的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：第一工序，在碳化硅基板的正面形成由栅绝缘膜和栅极构成的绝缘栅结构；第二工序，在所述碳化硅基板的正面形成由铝或者铝合金构成的正面电极，该正面电极通过层间绝缘膜与所述栅极绝缘；第三工序，在所述正面电极的表面形成由镍、镍合金、铜、钯、钛、铂、金或者银构成的金属膜，或者将由这些金属构成的金属膜层叠两层以上而构成的金属层叠膜，所述金属膜或者所述金属层叠膜覆盖所述正面电极的表面的60％以上且90％以下的范围；以及第四工序，在所述第三工序后进行氮气气氛、包含氮的混合气体气氛、真空气氛或者氩气气氛下的退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480010591.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
