[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。ESD保护器件(1)具备Si基板(10)，其在表面形成有ESD保护电路(10A)；焊盘(P1、P2)，其形成于Si基板(10)；以及再布线层(20)，其与Si基板(10)的表面对置，包括与焊盘(P1、P2)导通的端子电极(25A、25B)。再布线层(20)包括SiN保护膜(21)，其形成于Si基板(10)的表面以便覆盖形成于树脂层(22)的开口(接触孔)所接触的区域以外的焊盘(P1、P2)的一部分；以及树脂层(22)，其比SiN保护膜(21)介电常数低，形成在SiN保护膜(21)以及端子电极(25A、25B)之间。由此，能够减少寄生电容的产生，并且消除产生的寄生电容的偏差。

主权项

一种半导体装置，具备：半导体基板，其形成有功能元件；金属膜，其形成于所述半导体基板的表面并与所述功能元件导通；以及再布线层，其包括与所述半导体基板的表面对置的布线电极、和使所述金属膜以及所述布线电极的一部分导通的接触孔，所述再布线层包括：保护膜层，其形成于所述半导体基板的表面，以便覆盖所述接触孔所接触的区域以外的所述金属膜的一部分；和树脂层，该树脂层的介电常数比所述保护膜层的介电常数低，该树脂层形成在所述保护膜层与所述布线电极之间，所述树脂层覆盖所述保护膜层中的覆盖所述接触孔所接触的区域以外的所述金属膜的一部分的保护膜层。