[发明专利]从平台夹持与解除夹持晶圆的方法有效
申请号: | 201480010717.2 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN105190861B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 具一雄;玄盛焕 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马爽,臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种从平台夹持与解除夹持晶圆的方法。平台包括一个或多个电极,将一个或多个电极电压偏置以静电地夹持晶圆至平台。将电极偏压至可进行晶圆处理的第一电压。此后,一个或多个电压接续地施加至电极。在一些实施例中,每一个后续的电压小于先前的施加电压。在其他实施例中,一个或多个后续的电压可大于先前的施加电压。这种电压序列可减少晶圆在移除的过程中贴附或附看至平台的可能性。 | ||
搜索关键词: | 平台 夹持 解除 方法 | ||
【主权项】:
一种从平台夹持与解除夹持晶圆的方法,其特征在于包括:放置所述晶圆在所述平台上,所述平台包括用来夹持所述晶圆至所述平台上的电极,同时将所述电极偏压于初始电压;施加第一电压至所述平台的所述电极以静电地夹持所述晶圆至所述平台,所述第一电压大于所述初始电压;在施加所述第一电压后直接施加第二电压至所述电极,所述第二电压小于所述第一电压,并大于所述初始电压;在施加所述第二电压后直接施加第三电压至所述电极,所述第三电压小于所述第二电压,并大于所述初始电压;在施加所述第三电压后直接施加第四电压至所述电极,所述第四电压大于所述第三电压,并且小于所述第一电压;以及在施加所述第四电压后直接施加第五电压至所述电极,所述第五电压小于所述第四电压,并且大于所述初始电压,在施加所述第五电压之后,移除所述晶圆。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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