[发明专利]容性MEMS传感器装置

摘要

一种封装的容性MEMS传感器装置100包括具有至少一个容性MEMS传感器单元100a的至少一个容性MEMS传感器元件，所述容性MEMS传感器单元100a包括具有厚电介质区域106和薄电介质区域107的第一衬底101。具有膜层120的第二衬底键合到厚电介质区域并在薄电介质区域上方以提供MEMS空腔114。膜层在MEMS空腔上方提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。第一穿透衬底通孔(TSV)111延伸通过MEME电极的顶侧并且第二TSV 112通过固定电极的顶侧。金属盖件132在第一TSV和第二TSV的顶部上。包括内部空腔144和给内部空腔加框的外部突出部分146的第三衬底140键合到厚电介质区域。第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。

主权项

1.一种封装的容性微机电系统传感器装置，即封装的容性MEMS传感器装置，其特征在于包括：具有至少一个容性MEMS传感器单元的至少一个容性MEMS传感器元件，所述容性MEMS传感器单元包括：第一衬底，其具有顶侧和多个穿透衬底通孔即多个TSV，所述顶侧包括其上的图案化电介质层，所述图案化电介质层包括厚电介质区域和薄电介质区域，所述多个TSV至少包括延伸所述第一衬底的整个厚度的暴露在所述第一衬底的底侧上的第一TSV和第二TSV；第二衬底，其包括键合到所述厚电介质区域并在所述薄电介质区域上方以提供MEMS空腔的膜层和图案化金属层，所述膜层包括提供固定电极的固定部分和释放所述MEMS空腔上方的所述膜层的第一部分以提供MEMS电极的穿孔，其中所述多个TSV延伸所述第二衬底的整个厚度包括所述第一TSV通过所述MEMS电极的顶侧和所述第二TSV通过所述固定电极的顶侧，所述图案化金属层包括所述第一TSV的顶部上的金属盖件和所述第二TSV的顶部上的金属盖件，和第三衬底，其具有包括内部空腔和给所述内部空腔加框的外部突出部分的底侧，其中所述第三衬底与扩散键合到所述厚电介质区域的所述突出部分键合，并且其中所述第三衬底与所述第一衬底一起真空密封所述MEMS电极。