[发明专利]碳纳米结构体、以及用于制造碳纳米结构体的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201480010925.2 申请日: 2014-01-28
公开(公告)号: CN105073635B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 日方威;大久保总一郎;宇都宫里佐;东勇吾;藤田淳一;村上胜久 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C01B32/15 分类号: C01B32/15;B01J23/745
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 常海涛;高钊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中,制备了这样的基体,其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中,碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个:向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤,其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长;以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法,以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。
搜索关键词: 纳米 结构 以及 用于 制造 方法 装置
【主权项】:
1.一种制造碳纳米结构体的方法,包括以下步骤:制备由分离部件和包含催化剂的催化剂部件形成的基体,其中所述催化剂部件和所述分离部件彼此接触或彼此成为一体,所述催化剂部件和所述分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化;以及通过向所述基体供给含碳的原料气体,同时加热所述基体并使所述分离部件与所述催化剂部件分离,从而使得碳纳米结构体在所述催化剂部件和所述分离部件之间的分离界面区域中生长,所述使碳纳米结构体生长的步骤包括以下步骤中的至少一个步骤:向所述催化剂部件中面向所述分离界面区域的部分局部地供给所述原料气体的步骤,其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域处生长;以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。
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