[发明专利]制造纳米结构的半导体发光元件的方法有效
| 申请号： | 201480010929.0 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105009307B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 车南求;金东浩;柳建旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张帆,崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 结构 半导体 发光 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造纳米结构半导体发光装置的方法，该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；在所述基层的暴露的区域上生长第一导电类型的半导体层，使得所述多个开口被填充，从而形成多个纳米芯；部分地去除所述掩模，以暴露出所述多个纳米芯的侧表面；在部分地去除所述掩模之后对所述多个纳米芯进行热处理；在所述热处理之后，在所述多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电类型的半导体层，以形成多个发光纳米结构；以及对所述多个发光纳米结构的上部分进行平坦化，以去除所述多个纳米芯的上表面上的有源层的部分。
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