[发明专利]用于半导体晶片的电化学沉积工艺无效
| 申请号： | 201480010935.6 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105027265A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·K.·加布雷格齐亚布泽尔;约翰·克洛克;查尔斯·沙尔博诺;尚德吕·坦比德吕雷;大卫·J·埃里克森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电镀晶片的方法基于电压变化来检测电镀浴失效。所述方法对电镀具有TSV特征结构的晶片有用。可监测电镀处理器的每个阳极的电压。电压急剧下降表示由诸如SPS的加速剂转换成其副产物MPS所导致的浴失效。通过电流脉冲输送或电流递增输送延迟或避免浴失效。一种改良的电镀浴具有极低酸浓度的阴极电解质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 电化学 沉积 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于电镀晶片的方法，所述方法包括：将所述晶片放置成与具有加速剂、调平剂和抑制剂的电解质浴接触；从一个或更多个阳极通过所述电解质和通过所述晶片上的导电层传递电流；监测所述一个或更多个阳极的电压；从所述电压的变化检测所述浴的失效。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
