[发明专利]制造纳米结构半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201480011240.X | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105009309B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 车南求;柳建旭;成汉珪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/04;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张帆,张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 结构 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在所述基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在所述掩模中形成多个开口，所述基层的多个区域通过所述多个开口暴露出来；通过在所述基层的暴露的区域上生长第一导电类型的半导体来形成多个纳米核，以填充所述多个开口，由所述多个开口的形状限定所述多个纳米核的整个侧表面；利用所述蚀刻停止层部分地去除所述掩模，以暴露出所述多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电类型的半导体层。
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