[发明专利]电容性微机械传感器力反馈模式接口系统有效

专利信息
申请号: 201480011355.9 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN105009422B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 艾曼·伊斯梅尔;艾哈迈德·叶利舍纳威;艾哈迈德·穆赫塔尔;艾曼·埃尔萨伊德 申请(专利权)人: 斯维尔系统
主分类号: H02K3/00 分类号: H02K3/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 章蕾
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 以力反馈模式操作电容性传感器具有许多益处,例如改进的带宽以及对过程及温度变化的较低敏感性。为克服电容性反馈中的电压与力的关系的非线性,通常使用双电平反馈信号。因此,单位Σ‑Δ调制器表示实施电容性传感器接口电路的实际方式。然而,高Q传感器(在真空中操作)中存在的高Q寄生模式导致Σ‑Δ环路的稳定性问题,且因此限制Σ‑Δ技术对此类传感器的适用性。提供允许在存在高Q寄生模式的情况下稳定所述Σ‑Δ环路的解决方案。所述解决方案适用于电容性传感器的基于低阶或高阶Σ‑Δ的接口。
搜索关键词: 电容 微机 传感器 反馈 模式 接口 系统
【主权项】:
一种使用接口电路与MEMS传感器以电子方式介接的方法,所述MEMS传感器与所述接口电路一起形成Σ‑Δ调制器环路,所述方法包括:识别所述Σ‑Δ调制器环路的潜在寄生谐振模式,所述潜在寄生谐振模式具有频率及质量因子;将具有根据所述潜在寄生谐振模式的所述频率及所述质量因子中的至少一者挑选的特性的滤波器插入到所述Σ‑Δ调制器环路中,其中所述滤波器为经配置以便在复平面中由位于原点处的一对复零点及一对极点来表示的FIR滤波器。
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