[发明专利]用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法有效
| 申请号： | 201480011873.0 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105009297B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 任东吉;元泰景;S-M·赵 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明通常有关于测量针孔的确认方法。在一方面，提供了在叠层中测量针孔的方法，所述叠层例如是薄膜晶体管叠层。所述方法可包括形成有源层于基板的沉积表面上、形成介电层于有源层之上、传送蚀刻剂于至少所述介电层，以蚀刻介电层与形成于介电层中的任何的针孔两者，以及使用有源层对蚀刻过的介电层的针孔密度进行光学测量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 薄膜 针孔 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分析装置的方法，包括：形成有源层于基板的沉积表面上；形成介电层于所述有源层之上；蚀刻至少所述介电层，来去除所述介电层的至少40％，以产生蚀刻过的介电层，其中蚀刻剂蚀刻所述有源层的速度较蚀刻所述介电层的速度更快；以及使用所述有源层对所述蚀刻过的介电层的针孔密度进行光学测量。
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