[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

将玻璃基板(3)经由粘合层(2)粘合到晶片(1)的、形成了正面单元结构的正面(1c)上。粘合层(2)在晶片(1)侧从晶片(1)的正面(1c)遍及到晶片(1)的倒角部(1b)和侧面形成，在玻璃基板(3)侧形成于玻璃基板(3)的第1面(3c)、不形成在玻璃基板(3)的倒角部(3b)和侧面(3a)。将晶片(1)的背面研磨后，在其背面形成背面单元结构。从玻璃基板(3)侧照射激光(13)，从粘合层(2)剥离玻璃基板(3)。去除粘合层(2)，通过切割切断晶片(1)，由此完成形成有薄型半导体器件的芯片。通过这样，容易将粘合于晶片的支撑基板剥离并且能够防止晶片的碎片、破损。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：粘合层形成工序，在半导体晶片的第1主面以使外周部侧比中央部侧突出的方式形成粘合层；粘合工序，以使所述粘合层覆盖至所述半导体晶片的侧面的方式，经由所述粘合层将支撑基板粘合于所述半导体晶片的第1主面，所述支撑基板的、与所述半导体晶片的第1主面相向的面和侧面之间的角部被倒角，通过所述粘合层覆盖所述支撑基板的从所述被倒角的部分到外侧的部分，所述制造方法还包括：去除工序，在所述粘合工序后，去除覆盖所述支撑基板的从所述被倒角的部分到外侧的部分的所述粘合层。