[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201480012210.0 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105247683A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;张懿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄；栅极沟槽，形成在所述单元部的表面侧；栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道；以及栅极指，至少配置于所述外周部，该栅极指用于对所述栅极电极取得接触，所述栅极沟槽包含在所述栅极指的下方横切所述栅极指的线状的沟槽。
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