[发明专利]固态成像装置、其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201480012222.3 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN105027286B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 桝田佳明;渡边一史;水田恭平;井上启司;内田博久 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括:基板中的有效像素区域,有效像素配置在所述有效像素区域中;所述有效像素区域周围的配线区域,电极或配线设置在所述配线区域中;所述配线区域外侧的周边区域;和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度,并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:基板中的有效像素区域,有效像素配置在所述有效像素区域中;所述有效像素区域周围的配线区域,电极或配线设置在所述配线区域中;所述配线区域外侧的周边区域;和在所述基板上形成的膜,其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度,并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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