[发明专利]氮化物半导体晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201480012830.4 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105027262B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 竹内哲也;铃木智行;笹岛浩希;岩谷素顕;赤崎勇 | 申请（专利权）人： | 学校法人名城大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B25/16;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威,苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体晶体，其通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者Ⅲ族元素化合物、氮元素以及/或者氮元素化合物、Sb元素以及/或者Sb元素化合物供给到基板上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜通过有机金属气相成长法而在950℃以下成膜，其特征在于，Sb组分为0.2％以上，并且表面粗糙度均方根的值为1.56nm以下，此外在X射线衍射测量结果中观测到由GaN引起的峰值，且在由所述GaN引起的峰值的低角度侧观测到由Sb的吸收而引起的峰值，并且在PL检测强度中未观测到黄带发光。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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