[发明专利]在处理室中使用调节环来调节等离子体分布的装置和方法在审
| 申请号： | 201480013052.0 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN105190843A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | M·A·阿优伯;J·J·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例是关于在基板的等离子体处理期间用于改良等离子体分布的装置。根据实施例，该装置包括电耦接至可变电容器的调节环。该电容经控制以控制射频及所产生的等离子体与调节环的耦合。整个基板的等离子体分布及所产生的沉积薄膜厚度通过调整调节环处的电容及阻抗而得以相应地控制。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 使用 调节 等离子体 分布 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括：腔室主体及加电气体(powered gas)分配歧管，该腔室主体及该加电气体分配歧管封闭一处理空间；台座，安置在该处理空间中以用于支撑基板；及导电调节环，安置在该腔室主体与该加电气体分配歧管之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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