[发明专利]金属性单层碳纳米管与半导体性单层碳纳米管的分离方法在审
| 申请号： | 201480013164.6 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105050950A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 中岛直敏;新留康郎;加藤雄一 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人九州大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供从单层碳纳米管(SWNT)有效地分离金属性SWNT和半导体性SWNT的新型方法。本发明为一种从SWNT分离金属性SWNT和半导体性SWNT的方法，所述方法包括：使SWNT分散于包含低分子化合物的溶液中，将该分散体分离为溶液部分和固体部分，所述低分子化合物具有以下的部位：用于显示出对溶剂的溶解性的烷基链部位；和具有用于与SWNT发生相互作用的芳香环的部位。 | ||
| 搜索关键词： | 金属性 单层 纳米 半导体 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种从单层碳纳米管分离金属性单层碳纳米管和半导体性单层碳纳米管的方法，所述方法包括：使单层碳纳米管分散于包含低分子化合物的溶液中，将该分散溶液分离为溶液部分和固体部分，所述低分子化合物具有以下的部位：用于显示出对溶剂的溶解性的烷基链部位；和具有用于与单层碳纳米管发生相互作用的芳香环的部位。
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