[发明专利]用于在等离子体离子源腔室中产生等离子体离子源的装置和方法有效
申请号: | 201480013604.8 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN105122419B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 罗博特·S.·斯特博;丹尼尔·P.·门特;迈克尔·J.·思科斯;布瑞恩·E.·尤尔奇克 | 申请(专利权)人: | 星火工业有限公司 |
主分类号: | H01J33/00 | 分类号: | H01J33/00 |
代理公司: | 北京高文律师事务所11359 | 代理人: | 徐江华 |
地址: | 美国伊利诺*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文中描述用于将电磁(EM)能量从远程就位的初级天线耦合到等离子体离子源的系统和方法。EM能量由第一结构辐射通过中间的次级天线。本文描述的实施例能够相对于初级天线将等离子体离子源提升到高电势的偏置值,其中初级天线可保持在接地电势值或其接近值。 | ||
搜索关键词: | 用于 中子 发生 紧凑 电压 等离子体 | ||
【主权项】:
一种用于生成等离子体离子源的设备,该设备包括:等离子体离子源电介质,其具有限定等离子体离子源腔室的内表面;次级天线,其位于所述等离子体离子源电介质的外表面之外,并被构造为将电磁(EM)辐射耦合到所述等离子体离子源腔室中的等离子体离子源中;和初级天线,其与所述次级天线电隔离,并被构造为将电磁(EM)辐射传送到所述次级天线;其中,所述等离子体离子源腔室、所述等离子体离子源电介质、所述次级天线相对于所述初级天线以正电势偏置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于星火工业有限公司,未经星火工业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480013604.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。