[发明专利]基于掺杂有导电纳米填充物的介电聚合物的分数阶电容器在审
| 申请号： | 201480013947.4 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105190805A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·N·阿尔马道恩;阿姆鲁·叔拉法;卡勒德·萨拉马;胡萨姆·N·谢里夫 | 申请（专利权）人： | 沙特基础工业公司 |
| 主分类号： | H01G4/20 | 分类号： | H01G4/20 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿拉*** | 国省代码： | 沙特阿拉伯;SA |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分数阶电容器。分数阶电容器被定义为具有适配的介电阻抗。为了获得介电层的所需阻抗，导电的纳米填充材料被添加到电介质，由此导致形成介电纳米复合层。在本发明中，聚合物基质(如PVDF-TRFE)与石墨烯结合。所述石墨烯能够部分地或者完全地未被氧化。本发明公开了一种分数阶电容器，其包括：厚度为t的介电纳米复合层，其包括第一侧和与该第一侧相对的第二侧；第一电极层，其耦合至介电纳米复合层的第一侧；第二电极层，其耦合至介电层的第二侧；复阻抗相位角，其至少取决于介电纳米复合层中的填充材料的材料重量百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 导电 纳米 填充物 聚合物 分数 电容器 | ||
【主权项】：
一种分数阶电容器，其包括：厚度为t的介电纳米复合层，其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一电极层，其耦合至所述介电纳米复合层的第一侧；第二电极层，其耦合至所述介电纳米复合层的第二侧；和复阻抗相位角，其至少取决于所述介电纳米复合层中的填充材料的材料重量百分比。
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