[发明专利]存储器单元、制造方法、半导体装置结构及存储器系统

摘要

本发明揭示磁性存储器单元、制造方法、半导体装置结构及存储器系统。磁性单元芯包含至少一个磁性区域(例如，自由区域或固定区域)，其经配置以展现垂直磁性定向；至少一个基于氧化物的区域，其可为隧道结区域或氧化物顶盖区域；及至少一个磁性界面区域，其可包括铁Fe或由铁Fe组成。在一些实施例中，所述磁性界面区域通过磁性区域而与至少一个基于氧化物的区域隔开。所述磁性界面区域的存在增强所述磁性单元芯的垂直磁性各向异性PMA强度。在一些实施例中，与缺少所述磁性界面区域的相同磁性单元芯结构的PMA强度相比较，所述PMA强度可被增强50％以上。

主权项

一种存储器单元，其包括：衬底上的磁性单元芯，所述磁性单元芯包括：氧化物区域与另一氧化物区域之间的自由区域，所述自由区域展现可切换的、垂直磁性定向；及所述氧化物区域与所述另一氧化物区域之间的磁性界面区域，所述磁性界面区域安置在所述自由区域的磁性子区域之间，所述磁性界面区域由铁组成且界定小于10埃的厚度，所述磁性界面区域比临近所述磁性界面区域的所述磁性单元芯的区域薄，所述氧化物区域为安置在所述自由区域和展现固定的、垂直磁性定向的固定区域之间且在所述自由区域和所述固定区域之外的电绝缘区域，所述氧化物区域与所述磁性界面区域隔开。