[发明专利]具有在集成电路的不同层上的读/写端口和访问逻辑单元的三维(3D)存储单元有效
申请号: | 201480014060.7 | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN105144381B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | J·谢;Y·杜 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L27/06;G11C5/02;G11C11/412 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 张扬,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的3D存储单元分离。还公开了相关的3DIC、3DIC处理器内核和方法。在本文所公开的实施例中,存储块的存储读访问端口从存储单元中分离到3DIC的不同层中。3DIC实现了更高的器件封装密度、更低的互连延迟和更低的成本。以此方式,可以针对读访问端口和存储单元提供不同的供应电压,以便能够降低用于读访问端口的供应电压。因此可以提供存储单元中的静态噪声容限和读/写噪声容限。还可以避免在未分离的存储块中提供多个电源供应轨,其中在未分离的存储块中提供多个电源供应轨增加了面积。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成电路 不同 端口 访问 逻辑 单元 三维 存储 | ||
【主权项】:
一种单片式三维3D存储块,包括:存储单元,其包括静态随机存取存储器(SRAM),所述存储单元设置在3D集成电路(IC)(3DIC)的第一层中;至少一个读访问端口,其设置在所述3DIC的第二层中,所述至少一个读访问端口被配置为:提供对所述存储单元的读访问,其中,所述至少一个读访问端口中的每个读访问端口包括:第一读晶体管和第二读晶体管,所述第一读晶体管耦合到所述SRAM的第一反相器,所述第二读晶体管耦合到所述SRAM的第二反相器;以及至少一个单片式层间通孔(MIV),所述至少一个MIV将所述至少一个读访问端口耦合到所述存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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