[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480014341.2 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105009299B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置包括包含设置在沟道宽度方向上且彼此平行的多个沟道形成区的氧化物半导体层、以栅极绝缘层位于栅电极层与沟道形成区之间的方式覆盖各沟道形成区的侧面及顶面的栅电极层。通过采用该结构，电场从侧面方向及顶面方向施加到各沟道形成区。由此，可以良好地控制晶体管的阈值电压并改善S值。另外，通过具有多个沟道形成区，可以增加晶体管的有效沟道宽度，由此可以抑制通态电流的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道形成区 半导体装置 栅电极层 氧化物半导体层 沟道宽度方向 有效沟道宽度 控制晶体管 栅极绝缘层 电场 彼此平行 通态电流 阈值电压 侧面 晶体管 顶面 施加 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：基底绝缘层；所述基底绝缘层上的第一氧化物层；包括第一沟道形成区和第二沟道形成区的氧化物半导体层，该氧化物半导体层与所述第一氧化物层的顶面接触；与所述氧化物半导体层电连接的源电极层和漏电极层；与所述氧化物半导体层的第一顶面接触的第二氧化物层；覆盖所述第一沟道形成区的侧面和顶面以及所述第二沟道形成区的侧面和顶面的栅电极层；以及所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层，其中所述第二氧化物层和所述栅极绝缘层设置在所述源电极层的侧面与所述栅电极层之间和所述漏电极层的侧面与所述栅电极层之间，其中所述基底绝缘层包括第一区和第二区，其中所述第一区没有被所述第一氧化物层覆盖，其中所述第二区被所述第一氧化物层覆盖，其中所述第一区比所述第二区薄，并且其中所述第二氧化物层与所述第一区接触。
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