[发明专利]在介电基板上集成副本电路和变压器有效
| 申请号： | 201480014428.X | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105051897B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | J-H·兰;C·S·罗;J·金;M·F·维纶茨;J·H·洪 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L27/13;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种特定器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 介电基板上 集成 副本 电路 变压器 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：布置在由玻璃类材料形成的单个介电基板之上的副本电路，其中所述副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)；以及布置在所述单个介电基板之上并且耦合到所述副本电路的变压器，其中所述变压器被配置成促成所述副本电路与所述单个介电基板上的天线之间的阻抗匹配，所述变压器包括纵向耦合混合变压器(VHT)，并且该纵向耦合混合变压器(VHT)包括：布置在所述单个介电基板的上表面之上的第一电感器结构；布置在所述单个介电基板的所述上表面之上且布置在所述第一电感器结构之上的第二电感器结构；以及介电层，其中所述介电层布置在所述第一电感器结构和所述第二电感器结构之间。
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